Naša tvrtka pružaSiC premazprocesne usluge na površini grafita, keramike i drugih materijala CVD metodom, tako da posebni plinovi koji sadrže ugljik i silicij mogu reagirati na visokoj temperaturi kako bi se dobile Sic molekule visoke čistoće, koje se mogu taložiti na površinu premazanih materijala i formiratiSiC zaštitni slojza bačvasti hipnotik.
Glavne karakteristike:
1 .SiC presvučen grafitom visoke čistoće
2. Vrhunska otpornost na toplinu i toplinska ujednačenost
3. DobroPresvučen SiC kristalomza glatku površinu
4. Visoka otpornost na kemijsko čišćenje
Glavne specifikacijeCVD-SIC premaz
SiC-CVD svojstva | ||
Kristalna struktura | FCC β faza | |
Gustoća | g/cm³ | 3.21 |
Tvrdoća | Tvrdoća po Vickersu | 2500 |
Veličina zrna | μm | 2~10 |
Kemijska čistoća | % | 99.99995 |
Toplinski kapacitet | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
Fleksuralna snaga | MPa (RT 4 točke) | 415 |
Youngov modul | Gpa (savijanje od 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
Toplinska ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Toplinska vodljivost | (W/mK) | 300 |