SiC Wafer Boat
Brod od silicijevog karbidaje nosivi uređaj za pločice, uglavnom se koristi u procesima solarne i poluvodičke difuzije.Ima karakteristike kao što su otpornost na habanje, otpornost na koroziju, otpornost na udarce pri visokim temperaturama, otpornost na bombardiranje plazmom, nosivost visoke temperature, visoka toplinska vodljivost, visoka disipacija topline i dugotrajna uporaba koju nije lako savijati i deformirati.Naša tvrtka koristi materijal od silicijevog karbida visoke čistoće kako bi osigurala vijek trajanja i nudi prilagođene dizajne, uključujući.razne vertikalne i horizontalnenapolitanka brodić.
SiC veslo
Thekonzolno veslo od silicij karbidase uglavnom koristi u (difuzijskom) presvlačenju silicijskih pločica, što igra ključnu ulogu u utovaru i transportu silicijskih pločica na visokoj temperaturi.To je ključna komponentapoluvodička pločicasustava za utovar i ima sljedeće glavne karakteristike:
1. Ne deformira se u okruženju visoke temperature i ima veliku silu opterećenja na pločicama;
2. Otporan je na ekstremnu hladnoću i brzo zagrijavanje i ima dug vijek trajanja;
3. Koeficijent toplinske ekspanzije je mali, što uvelike produžuje ciklus održavanja i čišćenja i značajno smanjuje zagađivače.
SiC pećna cijev
Procesna cijev od silicij karbida, izrađen od SiC visoke čistoće bez metalnih nečistoća, ne zagađuje pločicu, te je pogodan za procese poput poluvodičke i fotonaponske difuzije, procesa žarenja i oksidacije.
SiC robotska ruka
SiC robotska ruka, također poznat kao krajnji efektor prijenosa pločica, robotska je ruka koja se koristi za transport poluvodičkih pločica i naširoko se koristi u industriji poluvodiča, optoelektronici i solarnoj energiji.Korištenje silicijevog karbida visoke čistoće, visoke tvrdoće, otpornosti na habanje, otpornosti na seizmiku, dugotrajne upotrebe bez deformacija, dugog vijeka trajanja itd., može pružiti prilagođene usluge.
Grafit za rast kristala
Grafitni toplinski štit
Grafitna elektrodna cijev
Grafitni deflektor
Grafitna stezna glava
Svi procesi koji se koriste za uzgoj poluvodičkih kristala rade u visokotemperaturnim i korozivnim okruženjima.Vruća zona peći za rast kristala obično je opremljena visokom čistoćom otpornom na toplinu i koroziju.grafitne komponente, kao što su grafitni grijači, lonci, cilindri, deflektori, stezne glave, cijevi, prstenovi, držači, matice itd. Naš gotov proizvod može postići sadržaj pepela manji od 5 ppm.
Grafit za polukonduktorsku epitaksiju
Grafitna baza
Grafitna epitaksijalna bačva
Monocry Stalline silikonska epitaksijalna baza
MOCVD grafitni dijelovi
Poluvodički grafitni uređaj
Epitaksijalni proces odnosi se na rast monokristalnog materijala na monokristalnoj podlozi s istim rasporedom rešetke kao supstrat.Zahtijeva mnogo grafitnih dijelova ultravisoke čistoće i grafitnu bazu sa SIC premazom.Grafit visoke čistoće koji se koristi za epitaksiju poluvodiča ima širok raspon primjena, koji se može mjeriti s najčešće korištenom opremom u industriji, au isto vrijeme ima iznimno visoku.čistoća, jednoličan premaz, izvrstan radni vijek i izuzetno visoka kemijska otpornost i toplinska stabilnost.
Izolacijski materijal i ostalo
Materijali za toplinsku izolaciju koji se koriste u proizvodnji poluvodiča su grafitni tvrdi filc, meki filc, grafitna folija, ugljični kompozitni materijali itd. Naše sirovine su uvezeni grafitni materijali, koji se mogu rezati prema specifikaciji kupaca, a mogu se prodavati i kao cijeli.Ugljični kompozitni materijal obično se koristi kao nosač za proces proizvodnje solarnih monokristala i polisilicijskih ćelija.