Visokokvalitetni premaz od tantal karbida (TaC).

Kratki opis:

Semicera TaC premaz nudi iznimnu stabilnost na visokim temperaturama, nadmašujući SiC, izdržavajući do 2300 ℃. Idealan za rast monokristala poluvodiča u zrakoplovstvu i trećoj generaciji, pruža otpornost na koroziju, oksidaciju i habanje. Odaberite Semiceru za vrhunsku tvorničku proizvodnju i kvalitetu.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Semicera nudi specijalizirane premaze od tantal karbida (TaC) za različite komponente i nosače.Semicera vodeći postupak premazivanja omogućuje premazima tantal karbida (TaC) postizanje visoke čistoće, visoke temperaturne stabilnosti i visoke kemijske tolerancije, poboljšavajući kvalitetu proizvoda SIC/GAN kristala i EPI slojeva (TaC susceptor presvučen grafitom) i produljenje životnog vijeka ključnih komponenti reaktora. Upotreba TaC prevlake od tantal karbida je za rješavanje problema rubova i poboljšanje kvalitete rasta kristala, a Semicera je otkrila tehnologiju prevlake tantal karbida (CVD), dostigavši međunarodnu naprednu razinu.

Nakon godina razvoja, Semicera je osvojila tehnologijuCVD TaCuz zajedničke napore odjela za istraživanje i razvoj. Defekti se lako mogu pojaviti u procesu rasta SiC pločica, ali nakon upotrebeTaC, razlika je značajna. Ispod je usporedba pločica sa i bez TaC, kao i Semicera' dijelova za rast monokristala

TaC obložen dio za rast monokristala

Presvlaka od tantal karbida protiv trošenja_ Štiti opremu od habanja i korozije Istaknuta slika

TaC presvučen grafitnim prstenom

sa i bez TaC

Nakon korištenja TaC (desno)

Osim toga, životni vijek Semicera TaC premaza je duži i otporniji na visoke temperature od SiC premaza. Nakon dugog vremena podataka laboratorijskih mjerenja, naš TaC može dugo raditi na maksimalno 2300 stupnjeva Celzijusa. Slijede neki od naših uzoraka: