LiNbO3 pločica za lijepljenje

Kratki opis:

Kristal litij niobata ima izvrsna elektrooptička, akustooptička, piezoelektrična i nelinearna svojstva. Kristal litij niobata važan je višenamjenski kristal s dobrim nelinearnim optičkim svojstvima i velikim nelinearnim optičkim koeficijentom; također može postići nekritično usklađivanje faza. Kao elektrooptički kristal, korišten je kao važan materijal za optički valovod; kao piezoelektrični kristal, može se koristiti za izradu srednje i niskofrekventnih SAW filtara, ultrazvučnih pretvarača velike snage otpornih na visoke temperature, itd. Dopirani litij niobatni materijali također se široko koriste.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer je dizajniran da zadovolji visoke zahtjeve napredne proizvodnje poluvodiča. Sa svojim iznimnim svojstvima, uključujući vrhunsku otpornost na habanje, visoku toplinsku stabilnost i izvanrednu čistoću, ova pločica je idealna za upotrebu u aplikacijama koje zahtijevaju preciznost i dugotrajnu izvedbu.

U industriji poluvodiča, LiNbO3 vezivne ploče obično se koriste za lijepljenje tankih slojeva u optoelektroničkim uređajima, senzorima i naprednim IC-ovima. Posebno su cijenjeni u fotonici i MEMS-u (Mikroelektromehanički sustavi) zbog svojih izvrsnih dielektričnih svojstava i sposobnosti da izdrže teške radne uvjete. Semicera LiNbO3 Bonding Wafer projektiran je za podršku preciznog spajanja slojeva, poboljšavajući ukupnu izvedbu i pouzdanost poluvodičkih uređaja.

Toplinska i električna svojstva LiNbO3
Talište	1250 ℃
Curiejeva temperatura	1140 ℃
Toplinska vodljivost	38 W/m/K @ 25 ℃
Koeficijent toplinske ekspanzije (@ 25°C)	//a，2,0×10^-6/K //c，2,2×10^-6/K
Otpornost	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Dielektrična konstanta	εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2
Piezoelektrična konstanta	D₂₂=2,04×10^-11C/N D₃₃=19,22×10^-11C/N
Elektrooptički koeficijent	γT₃₃=32 pm/V， γS₃₃=31 pm/V， γT₃₁=10 pm/V， γS₃₁=8,6 pm/V， γT₂₂=6,8 pm/V， γS₂₂=3,4 pm/V，
Poluvalni napon, DC Električno polje // z, svjetlost ⊥ Z; Električno polje // x ili y, svjetlost ⊥ z	3,03 KV 4,02 KV

Izrađen od materijala vrhunske kvalitete, LiNbO3 Bonding Wafer osigurava postojanu pouzdanost čak i u ekstremnim uvjetima. Njegova visoka toplinska stabilnost čini ga posebno pogodnim za okruženja koja uključuju povišene temperature, poput onih koje se nalaze u postupcima epitaksije poluvodiča. Dodatno, visoka čistoća pločice osigurava minimalnu kontaminaciju, što je čini pouzdanim izborom za kritične primjene poluvodiča.

U Semiceri smo predani pružanju vodećih rješenja u industriji. Naša LiNbO3 vezivna pločica pruža neusporedivu trajnost i mogućnosti visokih performansi za aplikacije koje zahtijevaju visoku čistoću, otpornost na habanje i toplinsku stabilnost. Bilo da se radi o naprednoj proizvodnji poluvodiča ili drugim specijaliziranim tehnologijama, ova pločica služi kao bitna komponenta za proizvodnju najsuvremenijih uređaja.