-
Što je epitaksija?
Većina inženjera nije upoznata s epitaksijom, koja igra važnu ulogu u proizvodnji poluvodičkih uređaja. Epitaksija se može koristiti u različitim proizvodima s čipovima, a različiti proizvodi imaju različite vrste epitaksije, uključujući Si epitaksiju, SiC epitaksiju, GaN epitaksiju itd. Što je epitaksija? Epitaksija i...Pročitaj više -
Koji su važni parametri SiC-a?
Silicijev karbid (SiC) važan je poluvodički materijal sa širokim pojasnim razmakom koji se široko koristi u elektroničkim uređajima velike snage i visoke frekvencije. Slijede neki ključni parametri pločica od silicij-karbida i njihova detaljna objašnjenja: Parametri rešetke: Osigurajte da...Pročitaj više -
Zašto se monokristalni silicij mora valjati?
Valjanje se odnosi na postupak brušenja vanjskog promjera monokristalne šipke silicija u monokristalnu šipku potrebnog promjera pomoću dijamantnog brusnog kotača i brušenja referentne površine ravnog ruba ili utora za pozicioniranje monokristalne šipke. Vanjski promjer površine...Pročitaj više -
Postupci za proizvodnju visokokvalitetnih SiC prahova
Silicijev karbid (SiC) je anorganski spoj poznat po svojim iznimnim svojstvima. SiC koji se pojavljuje u prirodi, poznat kao moissanite, prilično je rijedak. U industrijskim primjenama, silicijev karbid se pretežno proizvodi sintetskim metodama. U Semicera Semiconductoru koristimo naprednu tehniku...Pročitaj više -
Kontrola jednolikosti radijalnog otpora tijekom izvlačenja kristala
Glavni razlozi koji utječu na jednolikost radijalnog otpora monokristala su ravnost međupovršine kruto-tekuće i efekt male ravnine tijekom rasta kristala. Utjecaj ravnomjernosti sučelja krutina-tekućina Tijekom rasta kristala, ako se talina ravnomjerno miješa ,...Pročitaj više -
Zašto magnetsko polje monokristalne peći može poboljšati kvalitetu monokristala
Budući da se lončić koristi kao spremnik i unutar njega postoji konvekcija, kako se veličina generiranog monokristala povećava, konvekciju topline i ujednačenost temperaturnog gradijenta postaje teže kontrolirati. Dodavanjem magnetskog polja kako bi vodljiva talina djelovala na Lorentzovu silu, konvekcija se može...Pročitaj više -
Brzi rast monokristala SiC korištenjem CVD-SiC bulk izvora sublimacijskom metodom
Brzi rast monokristala SiC korištenjem CVD-SiC masovnog izvora putem metode sublimacije Korištenjem recikliranih CVD-SiC blokova kao izvora SiC, kristali SiC uspješno su rasli brzinom od 1,46 mm/h putem PVT metode. Mikrocijevi i gustoće dislokacija uzgojenog kristala pokazuju da de...Pročitaj više -
Optimizirani i prevedeni sadržaj o opremi za epitaksijalni rast od silicij karbida
Supstrati od silicij karbida (SiC) imaju brojne nedostatke koji onemogućuju izravnu obradu. Za izradu čip pločica, specifični monokristalni film mora biti uzgojen na SiC podlozi kroz epitaksijalni proces. Ovaj film je poznat kao epitaksijalni sloj. Gotovo svi SiC uređaji realizirani su na epitaksijalnom...Pročitaj više -
Ključna uloga i slučajevi primjene grafitnih susceptora obloženih SiC-om u proizvodnji poluvodiča
Semicera Semiconductor planira povećati proizvodnju osnovnih komponenti za opremu za proizvodnju poluvodiča na globalnoj razini. Do 2027. namjeravamo uspostaviti novu tvornicu od 20.000 četvornih metara s ukupnim ulaganjem od 70 milijuna USD. Jedna od naših ključnih komponenti, nosač pločica od silicijevog karbida (SiC)...Pročitaj više -
Zašto trebamo raditi epitaksiju na supstratima od silikonskih pločica?
U lancu industrije poluvodiča, posebno u lancu industrije poluvodiča treće generacije (poluvodiča sa širokim pojasnim razmakom), postoje podloge i epitaksijalni slojevi. Koje je značenje epitaksijalnog sloja? Koja je razlika između supstrata i supstrata? Podstr...Pročitaj više -
Proces proizvodnje poluvodiča – Etch tehnologija
Stotine procesa su potrebne da se pločica pretvori u poluvodič. Jedan od najvažnijih procesa je jetkanje - to jest, rezbarenje finih uzoraka krugova na pločici. Uspjeh procesa jetkanja ovisi o upravljanju različitim varijablama unutar postavljenog raspona distribucije, a svako jetkanje...Pročitaj više -
Idealan materijal za fokusne prstenove u opremi za plazma jetkanje: Silicij karbid (SiC)
U opremi za plazma jetkanje, keramičke komponente igraju ključnu ulogu, uključujući fokusni prsten. Fokusni prsten, postavljen oko pločice iu izravnom kontaktu s njom, bitan je za fokusiranje plazme na pločicu primjenom napona na prsten. Ovo poboljšava ne...Pročitaj više