-
Proces proizvodnje poluvodiča – Etch tehnologija
Stotine procesa su potrebne da se pločica pretvori u poluvodič. Jedan od najvažnijih procesa je jetkanje - to jest, rezbarenje finih uzoraka krugova na pločici. Uspjeh procesa jetkanja ovisi o upravljanju različitim varijablama unutar postavljenog raspona distribucije, a svako jetkanje...Pročitaj više -
Idealan materijal za fokusne prstenove u opremi za plazma jetkanje: Silicij karbid (SiC)
U opremi za plazma jetkanje, keramičke komponente igraju ključnu ulogu, uključujući fokusni prsten. Fokusni prsten, postavljen oko pločice iu izravnom kontaktu s njom, bitan je za fokusiranje plazme na pločicu primjenom napona na prsten. Ovo poboljšava ne...Pročitaj više -
Front End of Line (FEOL): Polaganje temelja
Prednji dio proizvodne linije je poput postavljanja temelja i izgradnje zidova kuće. U proizvodnji poluvodiča, ova faza uključuje stvaranje osnovnih struktura i tranzistora na silicijskoj pločici. Ključni koraci FEOL-a: ...Pročitaj više -
Učinak obrade monokristala silicijevog karbida na kvalitetu površine pločice
Poluvodički energetski uređaji zauzimaju ključnu poziciju u energetskim elektroničkim sustavima, posebno u kontekstu brzog razvoja tehnologija kao što su umjetna inteligencija, 5G komunikacije i nova energetska vozila, zahtjevi za njihovu izvedbu su...Pročitaj više -
Ključni materijal jezgre za SiC rast: prevlaka od tantal karbida
Trenutačno u trećoj generaciji poluvodiča dominira silicijev karbid. U strukturi troškova svojih uređaja supstrat zauzima 47%, a epitaksija 23%. Njih dvoje zajedno čine oko 70%, što je najvažniji dio proizvodnje uređaja od silicijevog karbida...Pročitaj više -
Kako proizvodi presvučeni tantal karbidom povećavaju otpornost materijala na koroziju?
Premaz tantal karbidom je često korištena tehnologija površinske obrade koja može značajno poboljšati otpornost materijala na koroziju. Prevlaka od tantal karbida može se pričvrstiti na površinu podloge različitim metodama pripreme, kao što su kemijsko taloženje iz pare, fizikalna...Pročitaj više -
Jučer je Odbor za inovacije u znanosti i tehnologiji objavio da je Huazhuo Precision Technology prekinuo IPO!
Upravo je najavljena isporuka prve 8-inčne SIC opreme za lasersko žarenje u Kini, koja je također Tsinghua tehnologija; Zašto su sami povukli materijale? Samo nekoliko riječi: Prvo, proizvodi su previše raznoliki! Na prvi pogled ne znam što rade. Trenutno, H...Pročitaj više -
CVD premaz silicijevog karbida-2
CVD prevlaka od silicij-karbida 1. Zašto postoji prevlaka od silicij-karbida Epitaksijalni sloj je specifičan monokristalni tanki film uzgojen na bazi pločice kroz epitaksijalni proces. Podložna pločica i epitaksijalni tanki film zajednički se nazivaju epitaksijalne pločice. Među njima, ...Pročitaj više -
Postupak pripreme SIC premaza
Trenutačno, metode pripreme SiC premaza uglavnom uključuju gel-sol metodu, metodu ugradnje, metodu premazivanja četkom, metodu plazma raspršivanja, metodu kemijske reakcije pare (CVR) i metodu kemijskog taloženja parom (CVD). Metoda ugradnje Ova metoda je vrsta visokotemperaturne čvrste faze ...Pročitaj više -
CVD premaz od silicij karbida-1
Što je CVD SiC Kemijsko taloženje iz pare (CVD) je proces vakuumskog taloženja koji se koristi za proizvodnju čvrstih materijala visoke čistoće. Ovaj se postupak često koristi u polju proizvodnje poluvodiča za stvaranje tankih filmova na površini pločica. U procesu pripreme SiC-a CVD-om, supstrat se eksp...Pročitaj više -
Analiza dislokacijske strukture u kristalu SiC simulacijom praćenja zraka uz pomoć rendgenskog topološkog snimanja
Pozadina istraživanja Važnost primjene silicijevog karbida (SiC): Kao poluvodički materijal sa širokim pojasnim razmakom, silicijev karbid je privukao veliku pozornost zbog svojih izvrsnih električnih svojstava (kao što je veći razmak između pojaseva, veća brzina zasićenja elektrona i toplinska vodljivost). Ovi podupirači...Pročitaj više -
Proces pripreme klica kristala u rastu monokristala SiC 3
Provjera rasta Zametni kristali silicijevog karbida (SiC) pripremljeni su slijedeći navedeni proces i potvrđeni rastom kristala SiC. Korištena platforma za rast bila je samorazvijena SiC indukcijska peć za rast s temperaturom rasta od 2200 ℃, tlakom rasta od 200 Pa i rastom...Pročitaj više