CVD masovni silicijev karbid (SiC)
Pregled:KVBmasovni silicijev karbid (SiC)vrlo je tražen materijal u opremi za plazma jetkanje, aplikacijama za brzu toplinsku obradu (RTP) i drugim procesima proizvodnje poluvodiča. Njegova iznimna mehanička, kemijska i toplinska svojstva čine ga idealnim materijalom za napredne tehnološke primjene koje zahtijevaju visoku preciznost i izdržljivost.
Primjene CVD Bulk SiC:Masivni SiC ključan je u industriji poluvodiča, posebno u sustavima plazma jetkanja, gdje komponente poput fokusnih prstenova, plinskih tuševa, rubnih prstenova i ploča imaju koristi od SiC-ove izvanredne otpornosti na koroziju i toplinske vodljivosti. Njegova se uporaba proteže naRTPsustavi zbog sposobnosti SiC-a da izdrži brze fluktuacije temperature bez značajne degradacije.
Osim opreme za jetkanje, CVDrasuti SiCpreferira se u difuzijskim pećima i procesima rasta kristala, gdje se zahtijeva visoka toplinska stabilnost i otpornost na oštra kemijska okruženja. Ovi atributi čine SiC materijalom izbora za zahtjevne primjene koje uključuju visoke temperature i korozivne plinove, poput onih koji sadrže klor i fluor.
Prednosti CVD Bulk SiC komponenti:
•Visoka gustoća:Uz gustoću od 3,2 g/cm³,CVD bulk SiCkomponente su vrlo otporne na habanje i mehaničke udare.
•Vrhunska toplinska vodljivost:Nudeći toplinsku vodljivost od 300 W/m·K, masivni SiC učinkovito upravlja toplinom, što ga čini idealnim za komponente izložene ekstremnim toplinskim ciklusima.
•Izuzetna kemijska otpornost:Niska reaktivnost SiC-a s plinovima za jetkanje, uključujući kemikalije na bazi klora i fluora, osigurava produljeni vijek trajanja komponente.
•Podesivi otpor: CVD skupni SiCotpornost se može prilagoditi u rasponu od 10⁻²–10⁴ Ω-cm, što ga čini prilagodljivim specifičnim potrebama za jetkanje i proizvodnju poluvodiča.
•Koeficijent toplinskog širenja:S koeficijentom toplinskog širenja od 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD masovni SiC otporan je na toplinski udar, održavajući dimenzijsku stabilnost čak i tijekom brzih ciklusa zagrijavanja i hlađenja.
•Trajnost u plazmi:Izlaganje plazmi i reaktivnim plinovima neizbježno je u poluvodičkim procesima, aliCVD bulk SiCnudi vrhunsku otpornost na koroziju i degradaciju, smanjujući učestalost zamjene i ukupne troškove održavanja.
Tehničke specifikacije:
•Promjer:Veći od 305 mm
•Otpornost:Podesivo unutar 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Gustoća:3,2 g/cm³
•Toplinska vodljivost:300 W/m·K
•Koeficijent toplinskog širenja:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Prilagodba i fleksibilnost:NaSemicera poluvodič, razumijemo da svaka aplikacija poluvodiča može zahtijevati različite specifikacije. Zbog toga su naše CVD komponente SiC-a u rasutom stanju potpuno prilagodljive, s podesivim otporom i prilagođenim dimenzijama koje odgovaraju vašim potrebama opreme. Bilo da optimizirate svoje sustave plazma jetkanja ili tražite izdržljive komponente u RTP ili difuzijskim procesima, naš CVD bulk SiC pruža neusporedivu izvedbu.
