Naša tvrtka pružaSiC premazprocesne usluge na površini grafita, keramike i drugih materijala CVD metodom, tako da posebni plinovi koji sadrže ugljik i silicij mogu reagirati na visokoj temperaturi kako bi se dobile Sic molekule visoke čistoće, koje se mogu taložiti na površinu premazanih materijala i formiratiSiC zaštitni slojza epitaksiju bačvasti hipnotik.
Glavne karakteristike:
1 .SiC presvučen grafitom visoke čistoće
2. Vrhunska otpornost na toplinu i toplinska ujednačenost
3. DobroPresvučen SiC kristalomza glatku površinu
4. Visoka otpornost na kemijsko čišćenje
Glavne specifikacijeCVD-SIC premaz
| SiC-CVD svojstva | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gustoća | g/cm³ | 3.21 |
| Tvrdoća | Tvrdoća po Vickersu | 2500 |
| Veličina zrna | μm | 2~10 |
| Kemijska čistoća | % | 99.99995 |
| Toplinski kapacitet | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Fleksuralna snaga | MPa (RT 4 točke) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (savijanje od 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplinska ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplinska vodljivost | (W/mK) | 300 |
