Prstenovi za jetkanje od čvrstog silicij karbida (SiC) koje nudi Semicera proizvedeni su metodom kemijskog taloženja parom (CVD) i izvanredan su rezultat u području primjene procesa preciznog jetkanja. Ovi prstenovi za jetkanje od čvrstog silicij karbida (SiC) poznati su po svojoj izvrsnoj tvrdoći, toplinskoj stabilnosti i otpornosti na koroziju, a vrhunska kvaliteta materijala osigurana je CVD sintezom.
Dizajnirani posebno za procese jetkanja, robusna struktura prstenova za jetkanje od čvrstog silicij karbida (SiC) i jedinstvena svojstva materijala igraju ključnu ulogu u postizanju preciznosti i pouzdanosti. Za razliku od tradicionalnih materijala, čvrsta SiC komponenta ima neusporedivu izdržljivost i otpornost na habanje, što je čini nezamjenjivom komponentom u industrijama koje zahtijevaju preciznost i dug životni vijek.
Naši prstenovi za jetkanje od čvrstog silicij karbida (SiC) precizno su proizvedeni i kontrolirana kvaliteta kako bi se osigurala njihova vrhunska izvedba i pouzdanost. Bilo da se radi o proizvodnji poluvodiča ili drugim srodnim područjima, ovi prstenovi za jetkanje od čvrstog silicij karbida (SiC) mogu pružiti stabilne performanse jetkanja i izvrsne rezultate jetkanja.
Ako ste zainteresirani za naš prsten za jetkanje od čvrstog silicij-karbida (SiC), kontaktirajte nas. Naš tim će vam pružiti detaljne informacije o proizvodu i profesionalnu tehničku podršku kako bi zadovoljili vaše potrebe. Radujemo se uspostavljanju dugoročnog partnerstva s vama i zajedničkom promicanju razvoja industrije.
✓Vrhunska kvaliteta na kineskom tržištu
✓Dobra usluga uvijek za vas, 7*24 sata
✓Kratak rok isporuke
✓Mali MOQ je dobrodošao i prihvaćen
✓Carinske usluge
Susceptor epitaksijskog rasta
Pločice od silicija/silicijevog karbida moraju proći kroz više procesa da bi se koristile u elektroničkim uređajima. Važan proces je silicij/sic epitaksija, u kojoj se silicij/sic pločice nose na grafitnoj bazi. Posebne prednosti Semicerine grafitne baze obložene silicijevim karbidom uključuju iznimno visoku čistoću, ujednačenu prevlaku i iznimno dug vijek trajanja. Također imaju visoku kemijsku otpornost i toplinsku stabilnost.
Proizvodnja LED čipova
Tijekom opsežnog oblaganja MOCVD reaktora, planetarna baza ili nosač pomiče pločicu supstrata. Učinkovitost osnovnog materijala ima velik utjecaj na kvalitetu premaza, što zauzvrat utječe na stopu otpadaka čipa. Semicerina baza presvučena silicijevim karbidom povećava učinkovitost proizvodnje visokokvalitetnih LED pločica i smanjuje odstupanje valne duljine. Također isporučujemo dodatne grafitne komponente za sve MOCVD reaktore koji se trenutno koriste. Možemo premazati gotovo svaku komponentu premazom od silicij karbida, čak i ako je promjer komponente do 1,5 M, još uvijek možemo premazati premazom od silicij karbida.
Polje poluvodiča, proces oksidacijske difuzije, Itd.
U procesu proizvodnje poluvodiča, proces oksidacijske ekspanzije zahtijeva visoku čistoću proizvoda, au Semiceri nudimo usluge premazivanja prema narudžbi i CVD za većinu dijelova od silicij karbida.
Sljedeća slika prikazuje grubo obrađenu kašu od silicij-karbida Semicea i cijev peći od silicij-karbida koja je očišćena u 1000-razinabez prašinesoba. Naši radnici rade prije lakiranja. Čistoća našeg silicijevog karbida može doseći 99,99%, a čistoća sic premaza je veća od 99,99995%.
Lopatica od sirovog silicij karbida i SiC procesna cijev u čišćenju
Silicij-karbid Wafer Boat CVD SiC presvučen
