Deep UV LED MOCVD grafitni susceptor presvučen TaC-om

TaC presvučen Deep UV LED MOCVD grafitni susceptor Istaknuta slika

Kratki opis:

Deep UV LED MOCVD grafitni susceptor s TaC premazom tvrtke Semicera dizajniran je za vrhunske performanse u primjenama MOCVD epitaksije. Proizveden u Kini, nudi povećanu izdržljivost i višu temperaturnu otpornost, što ga čini idealnim za zahtjevne uvjete. Semicerina napredna tehnologija premaza osigurava pouzdan i učinkovit rad, podržavajući visokokvalitetnu Deep UV LED proizvodnju.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Obložen TaCduboka ultraljubičasta LED grafitna baza odnosi se na proces poboljšanja performansi i stabilnosti uređaja polaganjemTaC premazna grafitnoj podlozi tijekom pripreme duboko ultraljubičastog LED uređaja. Ovaj premaz može poboljšati performanse disipacije topline, otpornost na visoke temperature i otpornost na oksidaciju uređaja, čime se poboljšava učinkovitost i pouzdanost LED uređaja. Duboki ultraljubičasti LED uređaji obično se koriste u nekim posebnim područjima, kao što su dezinfekcija, svjetlosna polimerizacija itd., koja imaju visoke zahtjeve za stabilnost i performanse uređaja. Primjena odTaC presvučen grafitombaza može učinkovito povećati izdržljivost i performanse uređaja, pružajući važnu podršku za razvoj duboke ultraljubičaste LED tehnologije.

Semicera nudi specijalizirane premaze od tantal karbida (TaC) za različite komponente i nosače.Semicera vodeći postupak premazivanja omogućuje premazima tantal karbida (TaC) postizanje visoke čistoće, visoke temperaturne stabilnosti i visoke kemijske tolerancije, poboljšavajući kvalitetu proizvoda SIC/GAN kristala i EPI slojeva (TaC susceptor presvučen grafitom) i produljenje životnog vijeka ključnih komponenti reaktora. Upotreba TaC prevlake od tantal karbida je za rješavanje problema rubova i poboljšanje kvalitete rasta kristala, a Semicera je otkrila tehnologiju prevlake tantal karbida (CVD), dostigavši međunarodnu naprednu razinu.

Nakon godina razvoja, Semicera je osvojila tehnologijuCVD TaCuz zajedničke napore odjela za istraživanje i razvoj. Defekti se lako mogu pojaviti u procesu rasta SiC pločica, ali nakon upotrebeTaC, razlika je značajna. Ispod je usporedba pločica sa i bez TaC, kao i Simicera' dijelova za rast monokristala.

Visokoučinkovita prevlaka tantal karbida_ poboljšava učinkovitost industrijske proizvodnje i smanjuje troškove održavanja Istaknuta slika

Tac dio za rast monokristala

Presvlaka od tantal karbida protiv trošenja_ Štiti opremu od habanja i korozije Istaknuta slika

Grafit s TaC obloženim prstenom

sa i bez TaC

Nakon korištenja TaC (desno)

Štoviše, Semicera'sProizvodi presvučeni TaC-ompokazuju dulji vijek trajanja i veću otpornost na visoke temperature u usporedbi sSiC prevlake.Laboratorijska mjerenja su pokazala da našTaC premazimože dosljedno raditi na temperaturama do 2300 stupnjeva Celzijusa tijekom duljeg razdoblja. Ispod je nekoliko primjera naših uzoraka: