Semicera nudi specijalizirane premaze od tantal karbida (TaC) za različite komponente i nosače.Semicera vodeći postupak premazivanja omogućuje premazima tantal karbida (TaC) postizanje visoke čistoće, visoke temperaturne stabilnosti i visoke kemijske tolerancije, poboljšavajući kvalitetu proizvoda SIC/GAN kristala i EPI slojeva (TaC susceptor presvučen grafitom) i produljenje životnog vijeka ključnih komponenti reaktora. Upotreba TaC prevlake od tantal karbida je za rješavanje problema rubova i poboljšanje kvalitete rasta kristala, a Semicera je otkrila tehnologiju prevlake tantal karbida (CVD), dostigavši međunarodnu naprednu razinu.
Grafit je izvrstan materijal za visoke temperature, ali lako oksidira na visokim temperaturama. Čak iu vakuumskim pećima s inertnim plinom još uvijek se može podvrgnuti sporoj oksidaciji. Korištenje CVD premaza od tantal karbida (TaC) može učinkovito zaštititi grafitnu podlogu, pružajući istu otpornost na visoke temperature kao grafit. TaC je također inertan materijal, što znači da neće reagirati s plinovima kao što su argon ili vodik na visokim temperaturama.UpitTantal karbid CVD premaz EPI susceptor sada!
Nakon godina razvoja, Semicera je osvojila tehnologijuCVD TaCuz zajedničke napore odjela za istraživanje i razvoj. Defekti se lako mogu pojaviti u procesu rasta SiC pločica, ali nakon upotrebeTaC, razlika je značajna. Dolje je usporedba pločica sa i bez TaC, kao i Simicera' dijelova za rast monokristala.
sa i bez TaC
Nakon korištenja TaC (desno)
Štoviše, Semicera'sProizvodi presvučeni TaC-ompokazuju dulji vijek trajanja i veću otpornost na visoke temperature u usporedbi sSiC prevlake.Laboratorijska mjerenja su pokazala da našTaC premazimože dosljedno raditi na temperaturama do 2300 stupnjeva Celzijusa tijekom duljeg razdoblja. Ispod je nekoliko primjera naših uzoraka:
