GaAs pločice|GaAs Epi pločice|Supstrati galijevog arsenida

GaAs pločice|GaAs Epi pločice|Istaknuta slika supstrata galijevog arsenida

Kratki opis:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. vodeći je dobavljač specijaliziran za pločice i napredne poluvodičke potrošne materijale.Posvećeni smo pružanju visokokvalitetnih, pouzdanih i inovativnih proizvoda za proizvodnju poluvodiča, fotonaponsku industriju i druga srodna područja.

Naša linija proizvoda uključuje grafitne proizvode presvučene SiC/TaC i keramičke proizvode, koji obuhvaćaju različite materijale kao što su silicij karbid, silicij nitrid i aluminijev oksid itd.

Trenutačno smo jedini proizvođač koji nudi premaz čistoće 99,9999% SiC i 99,9% rekristaliziranog silicijevog karbida.Maksimalna duljina SiC premaza koju možemo napraviti je 2640 mm.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

GaAs supstrati se dijele na vodljive i poluizolacijske, koji se široko koriste u laserima (LD), poluvodičkim svjetlosnim diodama (LED), bliskim infracrvenim laserima, laserima velike snage s kvantnim jamama i visokoučinkovitim solarnim pločama.HEMT i HBT čipovi za radarska, mikrovalna, milimetarska ili ultra-brza računala i optičke komunikacije;Radiofrekvencijski uređaji za bežičnu komunikaciju, 4G, 5G, satelitsku komunikaciju, WLAN.

Nedavno su supstrati galijevog arsenida također postigli veliki napredak u mini-LED, Micro-LED i crvenoj LED diodi te se široko koriste u AR/VR nosivim uređajima.

Promjer 晶片直径	50 mm \|75 mm \|100 mm \|150 mm
Metoda rasta 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Debljina vafla 厚度	350 um ~ 625 um
Orijentacija 晶向	<100> / <111> / <110> ili drugi
Vodljivi tip 导电类型	P – tip / N – tip / Poluizolacijski
Tip/Dopant 掺杂剂	Zn / Si / nedopiran
Koncentracija nositelja 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Otpornost na sobnoj temperaturi 室温电阻率(ohm•cm)	≥1E7 za SI
Mobilnost 迁移率(cm2/V•Sek)	≥4000
EPD (Etch Pit Density) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
Luk / osnova 翘曲度	≤ 20 um
Završna obrada 表面	DSP/SSP
Laserska oznaka 激光码
Razred 等级	Epi polirani stupanj / mehanički stupanj