Značajke:
Otpornost keramike s poluvodičkim svojstvima je oko 10-5~ 107ω.cm, a poluvodička svojstva keramičkih materijala mogu se postići dopiranjem ili uzrokovanjem defekata rešetke uzrokovanih stehiometrijskim odstupanjem.Keramika koja se koristi ovom metodom uključuje TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 i SiC.Različite karakteristike poluvodičke keramike su da se njihova električna vodljivost mijenja s okolinom, što se može koristiti za izradu raznih vrsta keramičkih osjetljivih uređaja.
Senzori su osjetljivi na toplinu, plin, vlagu, tlak, svjetlo i drugi senzori.Poluvodički spinelni materijali, kao što je Fe3O4, miješaju se s nevodičkim spinelnim materijalima, kao što je MgAl2O4, u kontroliranim čvrstim otopinama.
MgCr2O4 i Zr2TiO4 mogu se koristiti kao termistori, koji su pažljivo kontrolirani uređaji otpora koji variraju s temperaturom.ZnO se može modificirati dodavanjem oksida kao što su Bi, Mn, Co i Cr.
Većina ovih oksida nije čvrsto otopljena u ZnO, već se deflektira na granici zrna kako bi se formirao sloj barijere, kako bi se dobili ZnO varistorski keramički materijali, i to je vrsta materijala s najboljim performansama u varistorskoj keramici.
SiC dopiranje (kao što je ljudska čađa, grafitni prah) može pripremiti poluvodičke materijale s visokom temperaturnom stabilnošću, koji se koriste kao različiti otporni grijaći elementi, to jest silicijeve ugljične šipke u visokotemperaturnim električnim pećima.Kontrolirajte otpornost i presjek SiC-a kako biste postigli gotovo sve što želite
Radni uvjeti (do 1500 ° C), povećanje njegove otpornosti i smanjenje poprečnog presjeka grijaćeg elementa povećat će generiranu toplinu.Silikonska ugljična šipka u zraku će se dogoditi reakcija oksidacije, uporaba temperature općenito je ograničena na 1600 °C niže, obična vrsta silicij ugljične šipke
Sigurna radna temperatura je 1350°C.U SiC, atom Si je zamijenjen atomom N, jer N ima više elektrona, postoji višak elektrona, a njegova energetska razina je blizu donjeg vodljivog pojasa i lako ga je podići do vodljivog pojasa, tako da ovo energetsko stanje također se naziva razina donatora, ova polovica
Vodiči su poluvodiči N-tipa ili elektronički vodljivi poluvodiči.Ako se atom Al koristi u SiC za zamjenu atoma Si, zbog nedostatka elektrona, formirano energetsko stanje materijala je blizu gornjeg pojasa valentnih elektrona, lako prihvaća elektrone i stoga se naziva akceptantnim
Glavna energetska razina, koja ostavlja praznu poziciju u valentnom pojasu koja može provoditi elektrone jer prazna pozicija djeluje isto kao i nositelj pozitivnog naboja, naziva se poluvodič tipa P ili poluvodič šupljine (H. Sarman, 1989).
Vrijeme objave: 2. rujna 2023