Čovjek je 1905. godine u meteoritu pronašao silicijev karbid, sada uglavnom sintetski, Jiangsu silicijev karbid ima mnogo namjena, raspon industrije je velik, može se koristiti za monokristalni silicij, polisilicij, kalijev arsenid, kvarcne kristale, solarnu fotonaponsku industriju, industriju poluvodiča, industrija piezoelektričnih kristala inženjerska obrada materijala.
Treća generacija poluvodičkih materijala sa svojim izvrsnim karakteristikama, perspektiva buduće primjene je vrlo široka.Istraživanje i razvoj čipova od silicij-karbida u Kini još uvijek je u početnoj fazi, primjena čipova od silicij-karbida u moru je manja, razvoju industrije materijala od silicij-karbida nedostaje podrška nizvodnih poduzeća za primjenu.Kada se koristi kao materijal za pojačanje, često se koristi s ugljičnim vlaknima ili staklenim vlaknima, uglavnom ojačanim metalima (kao što je aluminij) i keramikom, kao što su kočione pločice za mlazne zrakoplove, lopatice motora, kutije stajnog trapa i strukturni materijali trupa itd., također se može koristiti kao sportska oprema, a njegova kratka vlakna mogu se koristiti kao materijali za peći na visokim temperaturama.
Materijal grubog silicijevog karbida isporučen je u velikim količinama, ali primjena praha silicijevog karbida u nanorazmjerima s vrlo visokim tehničkim sadržajem ne može stvoriti ekonomiju razmjera u kratkom vremenu.Materijali od silicij-karbida mogli bi napraviti pomak u primjeni fotonaponskih izmjenjivača.Treća generacija poluvodičkih materijala su poluvodički materijali sa širokim rasponom pojasa, također poznati kao visokotemperaturni poluvodički materijali, uglavnom uključujući silicijev karbid, galijev nitrid, aluminijev nitrid, cinkov oksid, dijamant i tako dalje.
U području fotonaponske primjene
Fotonaponski pretvarač je vrlo važan za fotonaponsku proizvodnju energije, ne samo da ima izravnu funkciju AC pretvorbe, već ima i funkciju funkcije solarne ćelije i funkciju zaštite od kvara sustava u velikoj mjeri.Ima funkciju automatskog rada i isključivanja, funkciju kontrole praćenja velike snage, funkciju protiv odvojenog rada (za sustave spojene na mrežu), funkciju automatskog podešavanja napona (za sustave spojene na mrežu), funkciju detekcije istosmjerne struje (za sustave spojene na mrežu) , funkcija otkrivanja istosmjernog uzemljenja (za sustave spojene na mrežu) i tako dalje.
Primjene u području zrakoplovstva
Silicijev karbid se proizvodi u vlakna silicij karbida, vlakna silicij karbida uglavnom se koriste kao materijali otporni na visoke temperature i materijali za pojačanje, materijali otporni na visoke temperature uključuju materijale za zaštitu od topline, pokretne trake otporne na visoke temperature, filtarsko platno za plinove visoke temperature ili rastaljeni metal.Ova vrsta materijala ima širok razmak pojasa (širina razmaka pojasa veća od 2,2 ev), visoku toplinsku vodljivost, visoko probojno električno polje, visoku otpornost na zračenje, visoku stopu zasićenja elektronima i druge karakteristike, pogodne za visoke temperature, visoke frekvencije, otpornost na zračenje i proizvodnju uređaja velike snage.Razviti blisku i intimnu suradnju u obuci osoblja i tehnološkom istraživanju i razvoju;Ojačati komunikaciju među poduzećima, posebno aktivno sudjelovati u protoku međunarodne razmjene, promicati razinu razvoja poduzeća;Obratite pozornost na izgradnju brenda poduzeća i nastojte stvoriti prve proizvode poduzeća.
Primjena novih tehnologija i novih uređaja kod domaćih proizvođača izmjenjivača još uvijek je premala, a izmjenjivač sa silicijevim karbidom kao pogonskim uređajem počeo se masovno primjenjivati.Unutarnji otpor silicijevog karbida je vrlo mali, a učinkovitost može biti vrlo visoka, frekvencija prebacivanja može doseći 10K, a LC filteri i kondenzatori sabirnice također se mogu spasiti.
Primjene u području poluvodiča
Očekuje se da će silicij-karbidni jednodimenzionalni nanomaterijali biti važna komponenta treće generacije širokopojasnih poluvodičkih materijala zbog njihove mikroskopske morfologije i kristalne strukture, zbog čega imaju više jedinstvenih izvrsnih funkcija i šire mogućnosti primjene.
Vrijeme objave: 24. srpnja 2023