Porozni tantalov karbid, materijal za vruće polje za rast kristala SiC

Porozni tantal karbid, materijal u vrućem polju za rast kristala SiC Istaknuta slika

Kratki opis:

Porozni tantal karbid uglavnom se koristi za filtriranje komponenata plinovite faze, podešavanje lokalnog gradijenta temperature, vođenje smjera protoka materijala, kontrolu istjecanja, itd. Može se koristiti s drugim čvrstim tantal karbidom (kompaktnim) ili tantal karbidnim premazom iz Semicera tehnologije za formiranje lokalnih komponenti s različitom vodljivošću protoka.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Semicera nudi specijalizirane premaze od tantal karbida (TaC) za različite komponente i nosače.Semicera vodeći postupak premazivanja omogućuje premazima tantal karbida (TaC) postizanje visoke čistoće, visoke temperaturne stabilnosti i visoke kemijske tolerancije, poboljšavajući kvalitetu proizvoda SIC/GAN kristala i EPI slojeva (TaC susceptor presvučen grafitom) i produljenje životnog vijeka ključnih komponenti reaktora. Upotreba TaC prevlake od tantal karbida je za rješavanje problema rubova i poboljšanje kvalitete rasta kristala, a Semicera je otkrila tehnologiju prevlake tantal karbida (CVD), dostigavši međunarodnu naprednu razinu.

Nakon godina razvoja, Semicera je osvojila tehnologijuCVD TaCuz zajedničke napore odjela za istraživanje i razvoj. Defekti se lako mogu pojaviti u procesu rasta SiC pločica, ali nakon upotrebeTaC, razlika je značajna. Ispod je usporedba pločica sa i bez TaC, kao i Semicera' dijelova za rast monokristala

Tac dio za rast monokristala

Presvlaka od tantal karbida protiv trošenja_ Štiti opremu od habanja i korozije Istaknuta slika

Grafit s TaC obloženim prstenom

sa i bez TaC

Nakon korištenja TaC (desno)

Osim toga, životni vijek Semicera TaC premaza je duži i otporniji na visoke temperature od SiC premaza. Nakon dugog vremena podataka laboratorijskih mjerenja, naš TaC može dugo raditi na maksimalno 2300 stupnjeva Celzijusa. Slijede neki od naših uzoraka: