Opis proizvoda
Naša tvrtka pružaSiC premazprocesne usluge CVD metodom na površini grafita, keramike i drugih materijala, tako da posebni plinovi koji sadrže ugljik i silicij reagiraju na visokoj temperaturi da bi se dobile molekule SiC visoke čistoće, molekule taložene na površini presvučenih materijala, tvorećiSIC zaštitni sloj.
Glavne značajke:
1. Otpornost na oksidaciju pri visokim temperaturama:
otpornost na oksidaciju je još uvijek vrlo dobra kada je temperatura visoka do 1600 C.
2. Visoka čistoća: izrađeno kemijskim taloženjem iz pare pod uvjetima kloriranja na visokoj temperaturi.
3. Otpornost na eroziju: visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
4. Otpornost na koroziju: kiseline, lužine, soli i organski reagensi.
Glavne specifikacije CVD-SIC premaza
| SiC-CVD svojstva | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gustoća | g/cm³ | 3.21 |
| Tvrdoća | Tvrdoća po Vickersu | 2500 |
| Veličina zrna | μm | 2~10 |
| Kemijska čistoća | % | 99.99995 |
| Toplinski kapacitet | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Fleksuralna snaga | MPa (RT 4 točke) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (savijanje od 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplinska ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplinska vodljivost | (W/mK) | 300 |
-
Visokotemperaturni epitaksijalni reaktor B...
-
Grafitna bačva presvučena SiC-om za epitaksijalni rast
-
LMJ microjet laserska tehnološka oprema
-
SiC-om obloženi poluvodički epitaksijalni reaktor za ...
-
Vruća zona grafitnog grijača/vruće polje grafita, ka...
-
Reakcijska sinterirana pločica od silicij karbida